中泰海外：赛晶科技自研IGBT助力功绩增长 全年净利润策画同比增长超100%

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　　中泰海外发布扣问敷陈称，跟着电网名堂的计划和开动，以及光伏、储能、电动汽车等商场对自研IGBT芯片和模块产物的需求提高，2024-2025年赛晶科技（00580）收入策画折柳为16亿和20亿元，同比增长52%和25%。2024年策画净利润7，000-8，000万元，同比增长最初100%。2025年自研IGBT产物收入展望可提高至2亿元。

　　中泰海外主要不雅点如下：

　　输配电、新动力产业链中枢器件供应商

　　2010年上市，赛晶科技（“公司”）是输配电行业、新动力行业以及工业领域中的阳极饱胀电抗器、层叠母排、功率半导体等中枢器件供应商，亦是国内自主研发阳极饱胀电抗器主要供应商之一。2019年，公司开启IGBT和IGBT模块的研发和制造，并于2020年发布首款产物。公司随后完成了IGBT芯片、ST分装IGBT模块，SiC芯片及模块以及车规级BEVD的研发和制造。公司是国内IGBT企业中，第一批量产12寸晶圆的企业。

　　输配电业务稳步鼓励

　　自2009年起，公司马上成为特高压柔性直流输电征战的主要供应商，参与了国内险些统共直流工程。2023年输配电领域的收入占比39.5%，毛利率48.0%。“十四五”计划中提倡了加强特高压输电工程等清洁动力运送通谈的诞生和把持成果，对征战提倡了更高条款。于“十四五“时分，国网计划诞生特高压工程波及清亮3万余公里，总投资3，800亿元（东谈主民币，下同）。公司看成特高压直流输电中枢器件供应商，有望深度受益。

　　自研IGBT，布局国产替代

　　公司专注于研发1200V–1700V电压等第的IGBT产物，把持国产自主技能，冉冉结束国产替代。2023年，公司开动车规级模块HEEV和EVD碳化硅SiCMOSFET模块，EVD硅IGBT模块的研发；同庚公司完成第二条模块测试出产线诞生和调试。2024上半年，公司推出第三代功率半导体SiCMOSFET，该产物电阻低至1200V/13mΩ，达到海外主流企业同等水平。公司有望冲突外资企业险些驾驭高端IGBT芯片的场面，成为芯片国产替代的受益者。

　　风险领导：1）自研业务发展不足预期；2）IGBT商场竞争；3）港股流动性风险。

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包袱剪辑：史丽君